龚义元
- 作品数：7 被引量：7H指数：2
- 供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家科技攻关计划更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- CMOS集成电路用Φ6-8英寸外延硅材料
- 随着集成电路集成度不断提高,主流技术的集成电路已经发展到0.35微米或更小的水平,集成成电路对硅材料表面晶体完整性、吸杂特性等提出了更高的要求,P/P<''+>、N/N<''+>结构的硅外延材料,有效消除了硅抛光片表面的...
- 何自强龚义元何龙珠高秀峰
- 关键词：硅外延片集成电路
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- TiSi_2 Polycide LDD MOS工艺研究被引量：1
- 1994年
- 本文着重研究了０．６μｍＴｉＳｉ２ＰｏｌｙｃｉｄｅＬＤＤＮＭＯＳ器件工艺技术．用ＲＩＥ刻蚀获得了０．６μｍ严格各向异性的精细结构２分析研究表明ＴＥＯＳＳｉＯ２膜厚ｔｆ、多晶硅栅的剖面倾角θ是影响侧壁宽度Ｗ的重要因素，经优化后可控制Ｗ为０．３０～０．３２μｍ；在Ａｌ与Ｓｉ之间引入一层ＴｉＮ／Ｔｉ复合层作为Ａｌ－Ｓｉ间的扩散势垒层，获得了良好的热稳定性．上述工艺技术已成功地应用于０．６μｍＴｉＳｉ２ＰｏｌｙｃｉｄｅＬＤＤＥ／ＤＭＯＳ３１级环形振荡器的研制，其平均缴延迟为３１０Ｐｓ（０．２９ｍＷ／级），工作电压５伏．
- 徐秋霞龚义元张建欣扈焕章汪锁发李卫宁
- 关键词：MOS场效应
- 自对准Ti－SALICIDE LDD MOS工艺研究被引量：2
- 1994年
- 本文着重研究了０．６μｍ自对准Ｔｉ－ＳＡＬＩＣＩＤＥＬＤＤＭＯＳ工艺技术．ＴｉＳｉ２的形成采用两步快速热退火及选择腐蚀完成，Ｔｉ膜厚度的最佳选择使ＳＡＬＩＣＩＤＥ工艺与０．２μｍ浅结相容，源／漏薄层电阻为４Ω／□．上述技术已成功地应用于０．６μｍ自对准Ｔｉ－ＳＡＬＩＣＩＤＥＬＤＤＮＭＯＳ器件及其Ｅ／ＤＭＯＳ３１级环形振荡器的研制，特性良好．
- 徐秋霞龚义元张建欣汪锁发翦进海潮和扈焕章
- 关键词：自对准MOS器件
- 硅、锗和氩离子注入富硅二氧化硅的电致发光被引量：2
- 2000年
- 将 Si、Ge和 Ar三种离子注入到磁控溅射制备的富硅二氧化硅和热生长的二氧化硅中 ,在 N2 气氛中 ,作 550、 650、 750、 850、 950和 1 0 50℃退火后 ,进行电致发光研究 .对比样品为退火条件相同的未经注入的上述两种二氧化硅 .对于离子注入情况 ,只观察到 Au/ 1 0 50℃退火的离子注入的富硅二氧化硅 / p- Si的电致发光 .低于 1 0 50℃退火的离子注入富硅二氧化硅和上述各种温度下退火的热生长二氧化硅 ,无论离子注入与否 ,都未观察到电致发光 .Au/未注入富硅二氧化硅 / p- Si的电致发光光谱在 1 .8e V处出现主峰 ,在 2 .4e V处还有一肩峰 .在 Au/ Si注入富硅二氧化硅 / p- Si的电致发光谱中 ,上述两峰的强度分别增加了 2倍和 8倍 ;在 Au/ Ge注入富硅二氧化硅 / p- Si和 Au/ Ar注入富硅二氧化硅 / p- Si的电致发光谱中 ,上述两峰的强度变化不大 ,但都观测到峰位位于 2 .2 e V的新发光峰 .采用隧穿 -量子限制
- 王艳兵孙永科乔永平张伯蕊秦国刚陈文台龚义元吴德馨马振昌宗婉华
- 关键词：电致发光二氧化硅锗氩离子离子注入
- CMOS集成电路用Φ150—200mm外延硅材料被引量：2
- 2001年
- 报道了 Φ15 0 m m CMOS硅外延材料的研究开发及集成电路应用成果 ,对 Φ2 0 0 mm P/P-硅外延材料进行了初步探索研究 .Φ15 0 m m P/P+硅外延片实现了批量生产 ,并成功应用于集成电路生产线 ,芯片成品率大于 80 % .
- 王启元林兰英何自强龚义元蔡田海郁元桓何龙珠高秀峰王建华邓惠芳
- 关键词：硅CMOS集成电路
- 硅霍尔效应开关集成电路1301
- 廖太仪罗梅村龚义元高燕芳梁连庭何自强陈文台张浩
- 1301硅霍尔效应集成开关传感器能提供快速、清洁、精确的开关。它是专用于电脑、自动控制、检测系统仪器表中的无刷直流风扇和其它用途。采用双极型集成电路和先进的制造工艺技术，每个器件集成了霍尔电压产生器，信号放大器，施密特触...
- 关键词：
- 关键词：集成电路双极型
- 大电流VDMOS器件研制开发
- 高燕芳龚义元徐秋霞吴德馨罗梅村梁连亭许武刘天增等
- 一、成果内容简介、关键技术、技术经济指标：1、成果内容简介：开发出20A/100V，25A/100V，30A/100V，15A/150V，20A/150V，35A/150V，15A/200V，20A/200V，15A/2...
- 关键词：
- 关键词：半导体工艺半导体器件VDMOS器件
