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梁擎擎

作品数：331 被引量：1H指数：1
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金：中国科学院“百人计划”国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信经济管理一般工业技术自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 330篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 44篇电子电信
  • 3篇经济管理
  • 2篇电气工程
  • 2篇自动化与计算...
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇轻工技术与工...

主题

  • 229篇半导体
  • 137篇半导体器件
  • 77篇沟道
  • 72篇介质层
  • 70篇导体
  • 59篇栅极
  • 55篇半导体结构
  • 45篇晶体管
  • 42篇衬底
  • 40篇背栅
  • 37篇堆叠
  • 35篇侧墙
  • 34篇刻蚀
  • 28篇掩模
  • 27篇阈值电压
  • 25篇鳍片
  • 24篇埋层
  • 22篇电隔离
  • 22篇源区
  • 20篇叠层

机构

  • 331篇中国科学院微...

作者

  • 331篇梁擎擎
  • 232篇朱慧珑
  • 212篇钟汇才
  • 102篇尹海洲
  • 65篇骆志炯
  • 40篇赵超
  • 39篇许淼
  • 22篇叶甜春
  • 19篇罗军
  • 12篇刘新宇
  • 12篇金智
  • 10篇殷华湘
  • 10篇陈大鹏
  • 10篇徐秋霞
  • 7篇杨达
  • 6篇秦长亮
  • 5篇吴昊
  • 4篇许高博
  • 4篇周华杰
  • 4篇童小东

传媒

  • 1篇微电子学

年份

  • 1篇2021
  • 1篇2020
  • 3篇2019
  • 7篇2018
  • 17篇2017
  • 44篇2016
  • 41篇2015
  • 65篇2014
  • 61篇2013
  • 64篇2012
  • 27篇2011
共 331 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
半导体器件及其制造方法
本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括：提供SOI衬底，所述SOI衬底包括基底层、位于所述基底层之上的绝缘层、以及位于所述绝缘层之上的器件层；在所述SOI衬底上形成栅堆叠；以所述栅堆叠为掩模，刻蚀所述SOI衬底的器件层...
钟汇才赵超梁擎擎
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一种浅沟槽隔离结构及其制造方法
本发明涉及一种浅沟槽隔离结构及其制造方法。该方法包括提供半导体衬底；在所述半导体衬底中形成至少一个沟槽；用具有应力的金属或其亚金属氧化物来填充所述至少一个沟槽；以及将所述金属或其亚金属氧化物转变为金属氧化物电介质。本发明...
钟汇才赵超梁擎擎
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一种半导体结构及其制造方法
本发明提供了一种半导体结构及其制造方法先形成伪源/漏区，再除去该伪源/漏区后形成替换源/漏区，有效避免了对强应变的源/漏区进行高温退火时强应力引起的晶格错位和缺陷；在该半导体结构的形成过程中采用较低的退火处理温度，因此替...
朱慧珑梁擎擎骆志炯尹海洲
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准纳米线晶体管及其制造方法
本发明提供一种准纳米线晶体管及其制造方法，该方法包括：提供SOI衬底，该SOI衬底包括基底层（100），BOX层（120）和SOI层（130）；在SOI层上形成鳍片基体，所述鳍片基体包括至少一组硅/硅锗叠层；在鳍片基体的...
朱慧珑梁擎擎尹海洲骆志炯
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半导体晶片的制造方法
本申请公开了一种半导体晶片的制造方法，包括：加热，使金属材料溶解到晶片中的半导体材料中，从而产生半导体-金属化合物；以及冷却，使所产生的半导体-金属化合物逆熔化，而形成金属半导体混合物。根据本发明的实施例，利于得到适用于...
钟汇才梁擎擎赵超
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SRAM单元及其制作方法
本申请公开了一种SRAM单元及其制作方法。该SRAM单元包括：半导体层；以及在半导体层上形成的第一鳍式场效应晶体管(FinFET)和第二FinFET，其中所述第一FinFET包括对所述半导体层构图而形成的第一鳍片，所述第...
朱慧珑梁擎擎
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基于霍尔效应的MOS晶体管
一种基于霍尔效应的MOS晶体管，包括：半导体衬底，所述半导体衬底上的MOS晶体管，所述半导体衬底上还形成有铁磁区，其中，MOS晶体管的导电沟道位于所述铁磁区的磁场中，所述铁磁区的磁化方向垂直于MOS晶体管的沟道电流方向。...
梁擎擎钟汇才朱慧珑
半导体器件制造方法
一种FinFET半导体器件制造方法，鳍状半导体柱被形成为多条平行排列，多条平行排列的栅极与之相交。全面性地沉积多晶硅层，并将其转变成单晶硅层，使该单晶硅层与鳍状半导体柱本质上成为一体，这相当于抬升了鳍状半导体柱中的源漏区...
钟汇才梁擎擎赵超
文献传递
一种半导体结构及其制备方法
本发明提出了一种半导体结构，包括：衬底；形成在所述衬底之上的源区和漏区；形成在所述衬底之上的栅极接触区；和形成在所述衬底之上位于所述源区和漏区之间的堆叠结构，所述堆叠结构包括至少一个单元，所述单元包括第一栅极、第二栅极以...
梁擎擎刘洪刚朱慧珑钟汇才
一种SOI衬底和具有SOI衬底的半导体器件及其形成方法
本发明提出一种绝缘体上半导体衬底的形成方法及其结构，包括以下步骤：A.提供第一半导体晶片，所述第一半导体晶片包括第一表面和第二表面，所述第一表面和所述第二表面相对；B.刻蚀所述第一表面，以使第一半导体晶片形成至少两个平坦...
钟汇才梁擎擎
文献传递
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