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张家鑫

作品数：4 被引量：3H指数：1
供职机构：山东大学更多>>
相关领域：理学医药卫生电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇医药卫生
  • 1篇理学

主题

  • 3篇单晶
  • 3篇碳化硅
  • 3篇碳化硅单晶
  • 3篇硅单晶
  • 2篇粉料
  • 2篇半绝缘
  • 2篇本征
  • 2篇超高纯度
  • 1篇血清
  • 1篇血清脂联素
  • 1篇脂联素
  • 1篇乳腺
  • 1篇乳腺癌
  • 1篇瘦素
  • 1篇瘦素水平
  • 1篇位错
  • 1篇位错密度
  • 1篇腺癌
  • 1篇发病
  • 1篇发病风险

机构

  • 4篇山东大学

作者

  • 4篇张家鑫
  • 3篇彭燕
  • 3篇徐现刚
  • 3篇陈秀芳
  • 2篇张福生
  • 1篇杨祥龙
  • 1篇胡小波

传媒

  • 1篇人工晶体学报

年份

  • 1篇2023
  • 2篇2022
  • 1篇2012
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
血清脂联素、瘦素水平与乳腺癌相关性的初步研究
研究背景:　　 乳腺癌是威胁全球女性健康的重要肿瘤之一，其发病率已居于全球女性恶性肿瘤发病率之首。目前，全球每年新发乳腺癌病例大约有138万，每年因患有乳腺癌而死亡的病例数约为46万。近年来，中国乳腺癌的发病率及死亡率...
张家鑫
关键词：乳腺癌脂联素瘦素发病风险
一种准本征半绝缘碳化硅单晶的制备方法
本发明涉及一种准本征半绝缘碳化硅单晶的制备方法，该方法通过采用高纯碳化硅粉料并以碳化硅籽晶的硅面作为生长面，在高温下快速生长具有超高纯度和高缺陷密度的碳化硅晶棒，再通过高温加热‑极速冷却方法，将生长的超高纯度碳化硅晶棒裂...
张福生胡国杰肖龙飞谢雪健徐现刚陈秀芳彭燕仲光磊张家鑫
文献传递
碳化硅单晶位错研究进展被引量：2
2022年
SiC作为代表性的第三代半导体材料,具有优异的物理化学性能。随着材料及应用的发展,SiC衬底在航天电源、电动汽车、智能电网、轨道交通、工业电机等领域的应用日益重要。相比第一代半导体材料如Si和第二代半导体材料如GaAs而言,SiC衬底质量还有很大的改善空间,是现阶段研发和产业的热点。其中SiC单晶缺陷,特别是一维位错缺陷的检测和降低,是近10年内重要的研究内容。本文重点对SiC中位错的形成原因、位错检测技术、位错密度降低方法及近年来SiC单晶中位错的优化水平进行总结归纳,并提出了SiC需要继续突破和发展的方向。
张家鑫彭燕陈秀芳谢雪健杨祥龙胡小波徐现刚
关键词：SIC位错
一种准本征半绝缘碳化硅单晶的制备方法
本发明涉及一种准本征半绝缘碳化硅单晶的制备方法，该方法通过采用高纯碳化硅粉料并以碳化硅籽晶的硅面作为生长面，在高温下快速生长具有超高纯度和高缺陷密度的碳化硅晶棒，再通过高温加热‑极速冷却方法，将生长的超高纯度碳化硅晶棒裂...
张福生胡国杰肖龙飞谢雪健徐现刚陈秀芳彭燕仲光磊张家鑫
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