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一种SiC衬底上可选择性单面生长石墨烯的方法: 本发明涉及一种SiC衬底上可选择性单面生长石墨烯的方法。该方法包括：将SiC衬底平放在石墨坩埚内，C面朝下或者Si面朝下，再将一盖片叠盖在所述SiC衬底朝上的面上，所述盖片为Si原子供体或C原子吸收体；将加热炉腔室抽真空...; 徐现刚陈秀芳张福生赵显

Ge掺杂碳化硅晶体的生长缺陷被引量：3: 2016年; 采用物理气相传输法(PVT)制备了2英寸Ge掺杂和非掺SiC晶体,并使用二次离子质谱仪(SIMS)、显微拉曼光谱(Raman spectra)仪、体式显微镜、激光共聚焦显微镜(LEXT)和高分辨X射线衍射(HRXRD)仪等测试手段对其进行了表征。结果表明,Ge元素可以有效地掺入SiC晶体材料中,且掺杂浓度达到2.52′1018/cm3,伴随生长过程中Ge组份的消耗和泄漏,掺杂浓度逐渐降低;生长初期高浓度Ge掺杂会促使6H-SiC向15R-SiC晶型转化,并随着生长过程中Ge浓度的降低快速地转回6H-SiC稳定生长。用LEXT显微镜观察发现,生长初期过高的Ge掺杂导致空洞明显增多,位错密度增加,掺杂晶体中位错密度较非掺晶体增大一倍。HRXRD分析表明掺Ge能增大SiC晶格常数,这将有利于提高与外延III族氮化物材料适配度,并改善器件的性能。; 张福生陈秀芳崔潆心肖龙飞谢雪健徐现刚胡小波; 关键词：SI 晶格常数

一种基于碳化硅单晶衬底制备近自由态单层石墨烯的方法: 本发明涉及一种基于碳化硅单晶衬底制备近自由态单层石墨烯的方法，该方法主要包括硅面形成全覆盖石墨烯、超声剥离表面石墨烯获得仅有缓冲层样品和将缓冲层转化为近自由态单层石墨烯，本发明中使用分步法制备近自由态单层石墨烯，有效地利...; 张福生陈秀芳李晓蒙邵辰肖龙飞谢雪健徐现刚; 文献传递

一种SiC衬底上可选择性单面生长石墨烯的方法: 本发明涉及一种SiC衬底上可选择性单面生长石墨烯的方法。该方法包括：将SiC衬底平放在石墨坩埚内，C面朝下或者Si面朝下，再将一盖片叠盖在所述SiC衬底朝上的面上，所述盖片为Si原子供体或C原子吸收体；将加热炉腔室抽真空...; 徐现刚陈秀芳张福生赵显; 文献传递

光电化学刻蚀方法去除SiC衬底外延石墨烯缓冲层及其表征被引量：1: 2016年; 高温条件下裂解碳化硅(SiC)单晶,在直径5cm的4H-SiC(0001)面制备出单层石墨烯。利用光电化学刻蚀方法,使KOH刻蚀液与SiC发生反应,降低石墨烯与衬底之间的相互作用力,去掉原位生长过程中SiC衬底与石墨烯之间存在的缓冲层,获得准自由的双层石墨烯。首先通过对比不同的电流密度和光照强度,总结出电流密度为6mA·cm-2、紫外灯与样品间距为3cm时,石墨烯缓冲层的去除效率以及石墨烯质量皆为最佳。采用此优化后工艺处理的样品,拉曼光谱表明原位生长的缓冲层与衬底脱离,表现出准自由石墨烯的特性。X射线光电子能谱(XPS)C1s谱图中代表上层石墨烯与衬底Si悬键结合的S1、S2特征峰消失,即石墨烯缓冲层消失。通过分析刻蚀过程中的电化学曲线,提出了刻蚀过程的化学反应过程中的动态特性。; 孙丽陈秀芳张福生于璨璨赵显徐现刚; 关键词：碳化硅缓冲层电化学光化学

一种准本征半绝缘碳化硅单晶的制备方法: 本发明涉及一种准本征半绝缘碳化硅单晶的制备方法，该方法通过采用高纯碳化硅粉料并以碳化硅籽晶的硅面作为生长面，在高温下快速生长具有超高纯度和高缺陷密度的碳化硅晶棒，再通过高温加热‑极速冷却方法，将生长的超高纯度碳化硅晶棒裂...; 张福生胡国杰肖龙飞谢雪健徐现刚陈秀芳彭燕仲光磊张家鑫; 文献传递

一种掺锗SiC体单晶材料的生长方法: 本发明提供一种掺锗SiC体单晶材料的生长方法，该方法在高温单晶生长炉中采用升华法生长掺锗SiC单晶，具体生长步骤：根据晶体生长后坩埚内底部残留的剩料形状，确定高温区和低温区的位置；将掺杂剂分别放置在对应的高温区和低温区位...; 陈秀芳张福生徐现刚胡小波; 文献传递

锗氮共掺碳化硅晶体杂质浓度表征及其电学性质研究被引量：1: 2018年; 采用物理气相传输(PVT)法生长了2英寸(1英寸=25.4 mm)锗氮(Ge-N)共掺和单一Ge掺杂碳化硅晶体材料,并制备成10 mm′10 mm的SiC晶片。利用半导体工艺技术在不同衬底的碳面上制备钛(Ti)/铂(Pt)/金(Au)多层金属电极。使用二次离子质谱仪(SIMS)、霍尔测试仪(Hall)等测试手段对其表征。结果表明,Ge元素和N元素的共同掺杂可以有效提高SiC中Ge元素的掺杂浓度,Ge浓度可以达到1.19′1019/cm3。所有晶片衬底均可以在不低于700℃的退火环境中形成欧姆接触,且在700℃时退火形成最佳欧姆接触。高浓度Ge掺杂衬底接触电阻明显小于低浓度Ge掺杂衬底接触电阻,这表明可以通过提高晶体中Ge元素浓度来提高器件性能。Hall测试结果表明,随着Ge掺杂浓度的升高,衬底迁移率会逐渐降低。这是由于Ge-N共掺后,SiC晶格匹配度提高,Ge元素的掺杂浓度变大,增加了杂质散射对迁移率的影响。; 李天陈秀芳杨祥龙杨祥龙张福生肖龙飞张福生徐现刚肖龙飞王瑞琪于芃; 关键词：晶格匹配欧姆接触迁移率

一种准本征半绝缘碳化硅单晶的制备方法: 本发明涉及一种准本征半绝缘碳化硅单晶的制备方法，该方法通过采用高纯碳化硅粉料并以碳化硅籽晶的硅面作为生长面，在高温下快速生长具有超高纯度和高缺陷密度的碳化硅晶棒，再通过高温加热‑极速冷却方法，将生长的超高纯度碳化硅晶棒裂...; 张福生胡国杰肖龙飞谢雪健徐现刚陈秀芳彭燕仲光磊张家鑫

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张福生