肖龙飞
- 作品数：4 被引量：11H指数：2
- 供职机构：山东大学物理学院晶体材料国家重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划中国人民解放军总装备部预研基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术更多>>
- Ge掺杂碳化硅晶体的生长缺陷被引量：3
- 2016年
- 采用物理气相传输法(PVT)制备了2英寸Ge掺杂和非掺SiC晶体,并使用二次离子质谱仪(SIMS)、显微拉曼光谱(Raman spectra)仪、体式显微镜、激光共聚焦显微镜(LEXT)和高分辨X射线衍射(HRXRD)仪等测试手段对其进行了表征。结果表明,Ge元素可以有效地掺入SiC晶体材料中,且掺杂浓度达到2.52′1018/cm3,伴随生长过程中Ge组份的消耗和泄漏,掺杂浓度逐渐降低;生长初期高浓度Ge掺杂会促使6H-SiC向15R-SiC晶型转化,并随着生长过程中Ge浓度的降低快速地转回6H-SiC稳定生长。用LEXT显微镜观察发现,生长初期过高的Ge掺杂导致空洞明显增多,位错密度增加,掺杂晶体中位错密度较非掺晶体增大一倍。HRXRD分析表明掺Ge能增大SiC晶格常数,这将有利于提高与外延III族氮化物材料适配度,并改善器件的性能。
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- 关键词：SI晶格常数
- 宽禁带碳化硅单晶衬底及器件研究进展被引量：7
- 2019年
- 碳化硅作为第三代宽禁带半导体的核心材料之一,相对于传统的硅和砷化镓等半导体材料,具有禁带宽度大、载流子饱和迁移速度高,热导率高、临界击穿、场强高等诸多优异的性质。基于这些优良的特性,碳化硅材料是制备高温电子器件、高频大功率器件的理想材料。近年来在碳化硅材料生长和器件制备方面取得重大进展,对碳化硅材料特性和生长方法进行回顾,并研究了碳化硅光导开关偏压、触发能量、导通电流之间的关系,以及开关失效情况下电极表面的损伤情况。
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- 关键词：碳化硅功率器件光导开关
- 锗氮共掺碳化硅晶体杂质浓度表征及其电学性质研究被引量：1
- 2018年
- 采用物理气相传输(PVT)法生长了2英寸(1英寸=25.4 mm)锗氮(Ge-N)共掺和单一Ge掺杂碳化硅晶体材料,并制备成10 mm′10 mm的SiC晶片。利用半导体工艺技术在不同衬底的碳面上制备钛(Ti)/铂(Pt)/金(Au)多层金属电极。使用二次离子质谱仪(SIMS)、霍尔测试仪(Hall)等测试手段对其表征。结果表明,Ge元素和N元素的共同掺杂可以有效提高SiC中Ge元素的掺杂浓度,Ge浓度可以达到1.19′1019/cm3。所有晶片衬底均可以在不低于700℃的退火环境中形成欧姆接触,且在700℃时退火形成最佳欧姆接触。高浓度Ge掺杂衬底接触电阻明显小于低浓度Ge掺杂衬底接触电阻,这表明可以通过提高晶体中Ge元素浓度来提高器件性能。Hall测试结果表明,随着Ge掺杂浓度的升高,衬底迁移率会逐渐降低。这是由于Ge-N共掺后,SiC晶格匹配度提高,Ge元素的掺杂浓度变大,增加了杂质散射对迁移率的影响。
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- 关键词：晶格匹配欧姆接触迁移率
- 砷化镓光导开关的损伤形貌研究
- 2022年
- 制作了同面型砷化镓光导开关,并测试了其导通性能。在偏置电压8 kV、激光能量10 mJ、重复频率10 Hz的条件下,研究了光导开关触发104次后器件表面的损伤形貌。利用激光扫描共聚焦显微镜,对电极边缘及电极间的损伤形貌进行分析,研究发现阳极边缘由于热积累形成热损伤,而阴极边缘的热损伤来源于热应力,并对电极间损伤形貌进行细致表征及分类。
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- 关键词：光导开关砷化镓形貌热效应
