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闫凤章

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：北京师范大学低能核物理研究所更多>>
发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇区熔
  • 1篇线性度
  • 1篇晶体管
  • 1篇光晶体管
  • 1篇高灵敏
  • 1篇高线性
  • 1篇高线性度
  • 1篇硅

机构

  • 1篇北京师范大学

作者

  • 1篇张录
  • 1篇韩德俊
  • 1篇宁宝俊
  • 1篇张海君
  • 1篇张秀荣
  • 1篇孙彩明
  • 1篇杨茹
  • 1篇盛丽艳
  • 1篇闫凤章

传媒

  • 1篇Journa...

年份

  • 1篇2006
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
高灵敏高线性度区熔硅光晶体管的研究
2006年
报道了一种基于高纯区熔单晶硅和发射结-集电结接近穿通状态的光晶体管的实验结果.在穿通电压附近(40V),0.83μm波长的光入射及0.15nW入射光功率条件下,器件的响应度为38A/W;工作在发射结-集电结接近穿通状态时线性度最好,在0.15～1500 nW光功率(4个数量级)范围内,线性因子为0.9954,接近于Hamamatsu S1227-1010BQ光电二极管在同一光功率区间内的线性因子(0.9982).另外,这种光晶体管的增益在130左右且增益的起伏在1%以内时,偏压的变化允许在2.5%以内(40V±1V),温度的变化可允许±2℃.其增益对偏压及温度的稳定性优于线性模式下具有相近增益的雪崩光电二极管.
韩德俊孙彩明盛丽艳张秀荣张海君闫凤章杨茹张录宁宝俊
关键词：光晶体管线性度
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