魏思民
- 作品数：5 被引量：8H指数：2
- 供职机构：北京工业大学更多>>
- 发文基金：北京市自然科学基金国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 一种优化光子晶体面发射激光器方法
- 一种优化光子晶体面发射激光器方法属于半导体光电子技术领域。所述方法在氧化限制型面发射激光器和二维光子晶体横向耦合基础的上将氧化孔径与光子晶体缺陷孔径纵向匹配耦合。通过优化氧化孔径和光子晶体缺陷孔径的关系，制备氧化孔径比光...
- 徐晨解意洋朱彦旭邓军毛明明魏思民曹田阚强王春霞陈弘达
- 文献传递
- 多孔缺陷匹配型光子晶体面发射激光器
- 本发明属于光电子领域，是多孔缺陷匹配型光子晶体面发射激光器。依次包括有在衬底上依次生长下DBR，有源区，氧化限制层，上DBR和P型欧姆接触层，氧化限制层设有氧化孔；其特征在于：在上DBR和P型欧姆接触层中刻蚀出光子晶体空...
- 徐晨解意洋邓军朱彦旭魏思民毛明明曹田阚强王春霞陈弘达
- 文献传递
- 氧化孔形状对光子晶体垂直腔面发射激光器模式的影响被引量：4
- 2012年
- 用时域有限差分方法对氧化孔限制型外腔式光子晶体垂直腔面发射激光器(VCSEL)在小氧化孔下氧化孔形状对激光器模式特性的影响进行了模拟计算.建立了三维光子晶体面发射激光器光场计算模型,分析了氧化孔形状变化对器件远场特性与频率特性的影响.研究发现,氧化孔形状可影响光子晶体VCSEL的模式特性,尤其是频谱特性.从模场分布的角度可解释为菱形氧化孔的对称性与高阶模的不一致.但随着光子晶体刻蚀深度的增加和氧化孔的增大,这种影响逐渐减小,分析解释了其原因.研究结果为提高光子晶体面发射激光器的性能提供了参考.
- 刘发徐晨赵振波周康解意洋毛明明魏思民曹田沈光地
- 关键词：光子晶体垂直腔面发射激光器时域有限差分
- 质子注入能量对垂直腔面发射激光器的阈值和功率的影响被引量：5
- 2012年
- 文章研究了如何兼顾质子注入型垂直腔面发射激光器的功率和阈值性能.从模拟和实验两方面分析了质子注入能量与器件功率和阈值特性的关系.发现注入能量过高时,损伤有源区,降低了功率性能.而能量过低则会减弱对注入电流的限制,增加阈值.计算和实验结果表明,对于文中的器件结构,315 keV的注入能量是合适的.在10μm的注入孔径下获得器件的阈值为4.3 mA,功率为1.7 mW.
- 毛明明徐晨魏思民解意洋刘久澄许坤
- 关键词：垂直腔面发射激光器功率阈值
- 表面浮雕垂直腔面发射激光器的研究
- 垂直腔面发射半导体激光器具有低阈值，长寿命，面发射易于二维集成等众多优点，使其在自由空间光互连，光通信，光信息处理以及各种高速并行网络应用中占有十分重要的地位，越来越受到国内外研究机构的重视。在高质量光通信，激光打印等应...
- 魏思民
- 关键词：垂直腔面发射半导体激光器光学特性
