杨健苍
- 作品数:5 被引量:5H指数:1
- 供职机构:电子科技大学更多>>
- 发文基金:中央高校基本科研业务费专项资金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域:一般工业技术电子电信电气工程更多>>
- 原子层沉积技术的研究进展被引量:2
- 2012年
- 介绍了原子层沉积技术的基本原理,与其他的薄膜制备方法进行了优缺点比较;同时论述了它在前驱体的选择以及实验装置方面的研究进展;指出前驱体的制备和选择、低沉积速率的改进是当前原子层沉积技术研究的重点;最后展望了原子层沉积技术的发展前景。
- 杨健苍方靓何伟杨成韬
- 关键词:原子层沉积前驱体
- Sc掺杂A1N薄膜的制备与性能研究
- 现代通信系统和设备微型化、高频化、高性能、高可靠性的发展趋势对薄膜声表面波(SAW)器件提出了更高频、更大带宽、更高耐受功率及可集成化的新要求。而作为SAW器件的关键组成,压电薄膜材料的选择制备及性能提升研究是保证新型S...
- 杨健苍
- 关键词:直流反应磁控溅射溅射参数电学性能
- 文献传递
- 衬底温度对ScAlN薄膜结构及电阻率的影响被引量:1
- 2013年
- 采用直流反应磁控溅射法、利用ScAl合金靶(含Sc质量分数10%)制备了一系列不同衬底温度的Sc掺杂AlN(ScAlN)薄膜。利用X线衍射仪、原子力显微镜和铁电测试仪的电流-电压(I-V)模块研究了衬底温度对薄膜微观结构、表面形貌及电阻率的影响。结果表明,随着衬底温度升高,薄膜的(002)择优取向愈发明显,在650℃时达到最佳;薄膜的表面粗糙度随着衬底温度的升高而减小,在650℃、700℃时分别达到3.064nm和2.804nm,但当温度达到700℃时,薄膜表面局部开裂,因此,650℃为获得最佳结晶质量薄膜的适当温度。ScAlN薄膜电阻率随制备时衬底温度呈先增大后减小的趋势。
- 杨健苍孟祥钦付伍君杨成韬
- 关键词:磁控溅射表面形貌电阻率
- 铁电晶体管存储器的读出电路设计
- 2014年
- 通过对铁电晶体管电学特性分析,提出了铁电晶体管的仿真模型,并设计了一种新型单管(1T)结构的读出电路。通过此模型进行了仿真验证,并与传统双管(2T)结构的电流放大读出电路的仿真结果进行对比,结果表明,新型1T结构读出电路在读出速度,可靠性及电路结构大小等方面均有提高。
- 何伟杨健苍翟亚红杨成韬李俊宏
- 关键词:仿真模型读出电路
- Sc掺杂AlN薄膜的制备与性能研究
- 现代通信系统和设备微型化、高频化、高性能、高可靠性的发展趋势对薄膜声表面波(SAW)器件提出了更高频、更大带宽、更高耐受功率及可集成化的新要求。而作为SAW器件的关键组成,压电薄膜材料的选择制备及性能提升研究是保证新型S...
- 杨健苍
- 关键词:直流反应磁控溅射电学性能压电性能
- 文献传递