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刘俊杰

作品数:2 被引量:7H指数:1
供职机构:河北工业大学电子信息工程学院更多>>
发文基金:天津市自然科学基金河北省自然科学基金国家科技重大专项更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇化学机械抛光
  • 2篇机械抛光
  • 1篇一致性
  • 1篇有机胺
  • 1篇通孔
  • 1篇抛光
  • 1篇抛光液
  • 1篇碱性抛光液
  • 1篇硅衬底
  • 1篇TSV
  • 1篇
  • 1篇衬底

机构

  • 2篇河北工业大学

作者

  • 2篇刘玉岭
  • 2篇牛新环
  • 2篇王如
  • 2篇刘俊杰
  • 1篇李海清
  • 1篇马欣

传媒

  • 1篇半导体技术
  • 1篇微电子学

年份

  • 2篇2017
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
有机胺碱对硅通孔铜膜化学机械抛光的影响被引量:6
2017年
有机胺碱可与铜离子反应且产物在碱性条件下溶于水,这为硅通孔(TSV)铜膜的碱性化学机械抛光(CMP)提供了有利条件。研究了大分子有机胺碱对铜膜化学机械抛光的影响。首先测试了不同体积分数有机胺碱对碱性抛光液中磨料粒径和Zeta电位的影响,然后在直径3英寸(1英寸=2.54 cm)铜片上模拟了不同体积分数有机胺碱对铜去除速率的影响。实验结果表明:有机胺碱对抛光液中磨料粒径和Zeta电位没有影响;随着有机胺碱体积分数的增加,铜的去除速率先快速增加,达到一峰值后趋于稳定,最后略有下降;当有机胺碱的体积分数为5%时,TSV图形片铜膜去除速率达到最高值2.1μm/min,剩余铜膜总厚度差减小到1.321 76 nm,实现了纳米级的化学机械抛光。
刘俊杰刘玉岭牛新环王如
关键词:化学机械抛光一致性
用于TSV硅衬底的碱性抛光液研究被引量:1
2017年
在穿透硅通孔(TSV)工艺中,研究了碱性抛光液组分的组合方式和抛光液的稀释倍数对硅衬底去除速率的影响。分析了硅衬底的去除机理;研究了抛光液对Si/Cu去除速率的选择性;研究了抛光液的存储时间不同时pH值和硅衬底去除速率的变化。该抛光液通过在硅溶胶中依次加入表面活性剂、无机碱、有机胺碱,再用去离子水稀释15倍配制而成,并应用于TSV图形片。实验结果表明:该抛光液对硅衬底的去除速率较高,达到1.045μm/min;采用该抛光液对TSV图形片抛光120s后,铜柱露出2μm;抛光液储存时间30天后,硅衬底去除速率仅损失1.3%。该碱性抛光液满足半导体制造行业要求。
刘俊杰李海清马欣刘玉岭牛新环王如
关键词:化学机械抛光抛光液
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