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卫建林

作品数：13 被引量：9H指数：3
供职机构：北京大学更多>>
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共 10 条 记 录，以下是 1-10
谭长华
供职机构：北京大学
研究主题：MOS器件 MOSFET 软击穿 半导体器件 场效应晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
许铭真
供职机构：北京大学
研究主题：MOS器件 MOSFET 半导体器件 可靠性 软击穿
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
毛凌锋
供职机构：苏州大学
研究主题：FN振荡电流 直接隧穿 场效应晶体管 MOS结构 ULTRATHIN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘晓卫
供职机构：北京大学
研究主题：MOS器件 陷阱电荷 氧化层 分析方法 弛豫
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
穆甫臣
供职机构：北京大学信息科学技术学院微电子研究院
研究主题：欧姆接触 可靠性 扩散阻挡层 砷化镓 场效应晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
何燕东
供职机构：北京大学
研究主题：测试仪器 半导体器件 分析软件系统 存储电路 测试台
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
解冰
供职机构：北京大学
研究主题：测试仪器 半导体器件 分析软件系统 工艺效率 空气桥
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈之昀
供职机构：北京大学物理学院
研究主题：表面势 MOS器件 LBS 分析方法 关键词提取
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王子欧
供职机构：苏州大学
研究主题：存储器 电路 反相器 电性 输入端
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张贺秋
供职机构：大连理工大学
研究主题：脉冲激光沉积 ZNO薄膜 氧化镓 欧姆接触电极 碳化硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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