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杨彦涛
供职机构:杭州士兰集成电路有限公司
研究主题:沟槽 功率器件 功率半导体器件 半导体 接触孔
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
韩健
供职机构:杭州士兰集成电路有限公司
研究主题:IGBT器件 发射极 槽栅 发射区 反向二极管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
江宇雷
供职机构:杭州士兰集成电路有限公司
研究主题:形貌 半导体器件 刻蚀 测试仪 氧化层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈文伟
供职机构:杭州士兰集成电路有限公司
研究主题:功率器件 接触孔 淀积 套刻 槽栅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘慧勇
供职机构:杭州士兰集成电路有限公司
研究主题:发射区 外延层 功率半导体器件 IGBT器件 介质层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张伟东
供职机构:杭州士兰集成电路有限公司
研究主题:磁场强度 BIPOLAR 分析器 离子注入工艺 离子源
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王旭
供职机构:杭州士兰集成电路有限公司
研究主题:磁场强度 BIPOLAR 分析器 离子注入工艺 离子源
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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