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郑安生

作品数：30 被引量：26H指数：4
供职机构：北京有色金属研究总院更多>>
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领域

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机构

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地区

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屠海令
供职机构：国家工程研究中心
研究主题：硅 单晶 硅单晶 存储器 底电极
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
邓志杰
供职机构：北京有色金属研究总院
研究主题：太阳电池 单晶 半导体材料 晶体生长 GASB单晶
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
俞斌才
供职机构：北京有色金属研究总院
研究主题：GAP单晶 计算机 单晶生长 单晶 英寸
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
黎建明
供职机构：北京有色金属研究总院
研究主题：GAAS 晶体生长 英寸 ZNS 数值模拟
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
钱嘉裕
供职机构：北京有色金属研究总院
研究主题：砷化镓 GAAS 密封 红外激光 激光器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
尹士平
供职机构：北京有色金属研究总院
研究主题：计算机 单晶 英寸 AP 浮渣
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
林泉
供职机构：北京有色金属研究总院
研究主题：单晶生长 固液界面 砷化镓 单晶 高纯锗探测器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
胡广勇
供职机构：北京有色金属研究总院
研究主题：扫描电镜 织构 电子背散射衍射 立方织构 数字图像
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
龙彪
供职机构：北京有色金属研究总院
研究主题：VGF 固液界面 单晶生长 通量 砷化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张峰翊
供职机构：北京有色金属研究总院
研究主题：数值模拟 砷化镓 单晶硅 提拉法 GAAS晶体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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